PMGD8000LN,115

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

原厂封装：6-TSSOP

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NXP恩智浦完整型号：PMGD8000LN,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

系列：TrenchMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：125mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.35nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：18.5pF @ 5V

功率 - 最大值：200mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：6-TSSOP

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PMGD8000LN,115供应商-耐智电子

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