PMK35EP,518

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

原厂封装：8-SO

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NXP恩智浦完整型号：PMK35EP,518

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC

系列：TrenchMOS?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 9.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2100pF @ 25V

功率 - 最大值：6.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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PMK35EP,518供应商-耐智电子

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