PMN35EN,115

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

原厂封装：6-TSOP

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NXP恩智浦完整型号：PMN35EN,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 5.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：334pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：6-TSOP

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PMN35EN,115供应商-耐智电子

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