PMPB10XNE,115

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

原厂封装：6-DFN2020MD

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NXP恩智浦完整型号：PMPB10XNE,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9A， 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2175pF @ 10V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）

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PMPB10XNE,115供应商-耐智电子

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