PMWD15UN,518

NXP | 场效应管阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

原厂封装：8-TSSOP

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NXP恩智浦完整型号：PMWD15UN,518

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

系列：TrenchMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：18.5 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1450pF @ 16V

功率 - 最大值：4.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：8-TSSOP

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PMWD15UN,518供应商-耐智电子

NXP

NXP

栅极和逆变器芯片

单齐纳二极管

触发器逻辑芯片

单路﹐预偏压式晶体管

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