PMXB65ENEZ

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

原厂封装：3-DFN

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NXP恩智浦完整型号：PMXB65ENEZ

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 3.2A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：295pF @ 15V

功率 - 最大值：400mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）

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