PSMN014-60LS,115

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 60V QFN3333

原厂封装：8-DFN3333

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NXP恩智浦完整型号：PSMN014-60LS,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 60V QFN3333

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1264pF @ 30V

功率 - 最大值：65W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）

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PSMN014-60LS,115供应商-耐智电子

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