PSMN3R3-80ES,127

NXP | 单端场效应管

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

原厂封装：I2PAK

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NXP恩智浦完整型号：PSMN3R3-80ES,127

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：139nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9961pF @ 40V

功率 - 最大值：338W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

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PSMN3R3-80ES,127供应商-耐智电子

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