2SK3666-2-TB-E

ON | JFET结点场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 10MA 200MW CP

原厂封装：3-CP

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ON安森美半导体完整型号：2SK3666-2-TB-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 10MA 200MW CP

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：30V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：600μA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值：10mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：180mV @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：200 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-CP

功率 - 最大值：200mW

耐智电子是国内领先的2SK3666-2-TB-E供应商

2SK3666-2-TB-E供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

线性稳压器芯片

RF晶体管

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