BBS3002-DL-1E_BBS3002-DL-1E供应商

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ON安森美半导体完整型号：BBS3002-DL-1E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 100A

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：280nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13200pF @ 20V

功率 - 最大值：90W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK （TO-263）

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BBS3002-DL-1E供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

电压基准芯片

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