ECH8697R-TL-W

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28

原厂封装：8-SMD，扁平引线

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ON安森美半导体完整型号: ECH8697R-TL-W

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 24V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 11.6 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 1.5W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装: 8-ECH

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ECH8697R-TL-W供应商-耐智电子

栅极和逆变器芯片

DC-DC开关稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

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