MCH6626-TL-E

ON | FET - 阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6

原厂封装：6-SMD

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ON安森美半导体完整型号: MCH6626-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.6A，1A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 230 毫欧 @ 800mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.4nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 105pF @ 10V
功率 - 最大值: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
供应商器件封装: 6-MCPH
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MCH6626-TL-E供应商-耐智电子

MCH6662-TL-H