MMBF4391LT1G

ON | JFET结点场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：JFET N-CH 30V 225MW SOT23

原厂封装：SOT-23-3

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ON安森美半导体完整型号：MMBF4391LT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 30V 225MW SOT23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V

漏源极电压 (Vdss)：30V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：50mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：4V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14pF @ 15V

电阻 - RDS（开）：30 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：225mW

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MMBF4391LT1G供应商-耐智电子

单端场效应管

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

单路IGBT

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