NDD01N60T4G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

原厂封装：DPAK-3

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ON安森美半导体完整型号：NDD01N60T4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 欧姆 @ 200mA， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：160pF @ 25V

功率 - 最大值：46W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK-3

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