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NDD02N60Z-1G代理

NDD02N60Z-1G

ON | 单端场效应管
制造厂商:ON(安森美)
功能简述:MOSFET N-CH 600V IPAK
原厂封装:I-Pak
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  • ON安森美半导体完整型号:NDD02N60Z-1G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 600V IPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.2A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.8 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):274pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:57W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装:I-Pak
  • 耐智电子是国内领先的NDD02N60Z-1G供应商
  • NDD02N60Z-1G供应商-耐智电子
  • ON
    NDD02N60ZT4G
  • ON
    NDD03N80ZT4G
  • 双向可控硅
    MAC4DHM-1G
  • 单端场效应管
    NTF3055-160T3LF
  • 监控器芯片
    MC34160PG
  • DC DC 开关稳压器
    NCV891330PD33R2G
  • NDD02N60Z-1G是ON安森美公司的一款产品,ON代理商耐智电子全程提供NDD02N60Z-1G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的NDD02N60Z-1G供应商。

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