NDD02N60ZT4G_NDD02N60ZT4G供应商_ON代理商耐智电子

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ON安森美半导体完整型号：NDD02N60ZT4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 600V DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.8 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：325pF @ 25V

功率 - 最大值：57W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

耐智电子是国内领先的NDD02N60ZT4G供应商

NDD02N60ZT4G供应商-耐智电子

单路﹐预偏压式晶体管

FET - 单

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

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