NDD03N80Z-1G_NDD03N80Z-1G供应商_ON代理商耐智电子

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ON安森美半导体完整型号: NDD03N80Z-1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.9A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 440pF @ 25V

功率 - 最大值: 96W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NDD03N80Z-1G供应商-耐智电子

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