NDD05N50Z-1G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

原厂封装：I-Pak

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ON安森美半导体完整型号：NDD05N50Z-1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.5 欧姆 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V

功率 - 最大值：83W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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NDD05N50Z-1G供应商-耐智电子

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