NGTB15N60S1EG_NGTB15N60S1EG供应商

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ON安森美半导体完整型号：NGTB15N60S1EG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3

系列：-

IGBT 类型：NPT

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.7V @ 15V，15A

功率 - 最大值：117W

Switching Energy：550μJ （开）， 350μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：88nC

25°C 时 Td（开/关）值：65ns/170ns

Test Condition：400V，15A，22 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：270ns

封装/外壳：TO-220-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220

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