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ON安森美半导体完整型号:NGTB20N60L2TF1G制造厂家名称:ON Semiconductor描述:IGBT 600V 20A TO3PF系列:-IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):600V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):80A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.65V @ 15V,20A功率 - 最大值:64WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:84nC25°C 时 Td(开/关)值:60ns/193nsTest Condition:300V, 20A, 30 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):70ns封装/外壳:TO-3PFM,SC-93-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-3PF-3耐智电子是国内领先的NGTB20N60L2TF1G供应商