NGTB30N120FL2WG_NGTB30N120FL2WG供应商

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ON安森美半导体完整型号：NGTB30N120FL2WG

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 452W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，30A

功率 - 最大值：452W

Switching Energy：2.6mJ （开）， 700μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：220nC

25°C 时 Td（开/关）值：98ns/210ns

Test Condition：600V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：240ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

耐智电子是国内领先的NGTB30N120FL2WG供应商

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单路晶体管(BJT)

图像传感器

线性稳压器芯片

RF晶体管

NGTB30N120FL2WG是ON安森美公司的一款产品，ON代理商耐智电子全程提供NGTB30N120FL2WG现货支持、优势价格、充足货源，是国内领先的NGTB30N120FL2WG供应商。

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