NSBA114TDXV6T1

ON | 阵列﹐预偏压式晶体管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

原厂封装：SOT-563

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ON安森美半导体完整型号：NSBA114TDXV6T1

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

系列：-

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：-

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：SOT-563

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NSBA114TDXV6T1供应商-耐智电子

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

单端场效应管

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

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