NSBC143EPDP6T5G

ON | 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

原厂封装：*

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ON安森美半导体完整型号: NSBC143EPDP6T5G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123

系列: -

晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 4.7k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 4.7k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 15 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 339mW

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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NSBC143EPDP6T5G供应商-耐智电子

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