NSVMUN5111DW1T3G

ON | 晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3

原厂封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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ON安森美半导体完整型号: NSVMUN5111DW1T3G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3

系列: -

晶体管类型: 2 个 PNP 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 10k

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 35 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: -

功率 - 最大值: 250mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363

耐智电子是国内领先的NSVMUN5111DW1T3G供应商

NSVMUN5111DW1T3G供应商-耐智电子

晶体管（BJT） - 阵列﹐预偏压式

单端场效应管

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

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