NSVMUN5212DW1T1G

ON | 阵列﹐预偏压式晶体管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

原厂封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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ON安森美半导体完整型号：NSVMUN5212DW1T1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

系列：-

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)：22k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：500nA

频率 - 跃迁：-

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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NSVMUN5212DW1T1G供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

单端场效应管

线性稳压器芯片

RF晶体管

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