NTD2955T4G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

原厂封装：DPAK-3

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ON安森美半导体完整型号：NTD2955T4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 25V

功率 - 最大值：55W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK-3

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