NTJD4105CT1G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

原厂封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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ON安森美半导体完整型号：NTJD4105CT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V，8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：630mA，775mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：375 毫欧 @ 630mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：46pF @ 20V

功率 - 最大值：270mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD4105CT1G供应商-耐智电子

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