NTJD5121NT1G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

原厂封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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ON安森美半导体完整型号：NTJD5121NT1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：295mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：26pF @ 20V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

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NTJD5121NT1G供应商-耐智电子

单端场效应管

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