NTMD6601NR2G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

原厂封装：8-SOIC

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ON安森美半导体完整型号：NTMD6601NR2G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：80V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：215 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V

功率 - 最大值：600mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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NTMD6601NR2G供应商-耐智电子

单路晶体管(BJT)

变换器芯片

线性稳压器芯片

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