NTMFS4826NET1G

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL

原厂封装：5-DFN

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ON安森美半导体完整型号：NTMFS4826NET1G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Ta），66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.9 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 12V

功率 - 最大值：870mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN， 5 引线

供应商器件封装：5-DFN， 8-SO 扁引线（5x6）

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