NVD5806NT4G_NVD5806NT4G供应商_ON代理商耐智电子

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ON安森美半导体完整型号：NVD5806NT4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 40V DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：33A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：860pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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NVD5806NT4G供应商-耐智电子

单端场效应管

线性稳压器芯片

单路晶体管(BJT)

FET - 阵列

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