NVMFD5877NLWFT3G

ON | 场效应管阵列

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

原厂封装：8-DFN

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ON安森美半导体完整型号：NVMFD5877NLWFT3G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 7.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 25V

功率 - 最大值：3.2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-DFN（5x6） Dual Flag（SO8FL-Dual-Asymmetrical）

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NVMFD5877NLWFT3G供应商-耐智电子

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