SMMBFJ177LT1G

ON | JFET结点场效应

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：TRANS JFET P-CH SOT23

原厂封装：*

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ON安森美半导体完整型号: SMMBFJ177LT1G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: TRANS JFET P-CH SOT23

系列: 自动，AEC-Q101

FET 类型: P 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）: 30V

漏源极电压（Vdss）: -

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 1.5mA @ 15V

漏极电流（Id） - 最大值: -

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 800mV @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 11pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）: 300 欧姆

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

功率 - 最大值: 225mW

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SMMBFJ177LT1G供应商-耐智电子

二极管TVS

单路晶体管(BJT)

缓冲器，驱动器，接收器，收发器芯片

线性稳压器

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