RSR010N10TL

ROHM | FET - 单

制造厂商：ROHM（罗姆）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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ROHM罗姆半导体完整型号: RSR010N10TL

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 520 毫欧 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 3.5nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 140pF @ 25V

功率 - 最大值: 540mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: TSMT3

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RSR010N10TL供应商-耐智电子

ROHM

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