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Renesas瑞萨完整型号: HAT2131R-EL-E制造厂家名称: Renesas Electronics America功能总体简述: MOSFET N-CH 8SO系列: -FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）: 350V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 900mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 3 欧姆 @ 450mA，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 460pF @ 25V功率 - 最大值: 2.5W安装类型: *封装/外壳: *供应商器件封装: *耐智电子是国内领先的HAT2131R-EL-E供应商 
