HAT2168N-EL-E

Renesas | 单端场效应管

制造厂商：Renesas（瑞萨）

功能简述：MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI

原厂封装：8-LFPAK-iV

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Renesas瑞萨完整型号：HAT2168N-EL-E

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1730pF @ 10V

功率 - 最大值：15W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）

供应商器件封装：8-LFPAK-iV

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