NP80N055PDG-E1B-AY

Renesas | 单端场效应管

制造厂商：Renesas（瑞萨）

功能简述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

原厂封装：TO-263

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Renesas瑞萨完整型号：NP80N055PDG-E1B-AY

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.6 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263

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