RJK0222DNS-00#J5

Renesas | 场效应管阵列

制造厂商：Renesas（瑞萨）

功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON

原厂封装：8-DFN

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Renesas瑞萨完整型号：RJK0222DNS-00#J5

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON

系列：-

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A，16A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.2 毫欧 @ 7A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：810pF @ 10V

功率 - 最大值：8W， 10W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

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RJK0222DNS-00#J5供应商-耐智电子

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