RJK6006DPD-00#J2

Renesas | FET - 单

制造厂商：Renesas（瑞萨）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 5A MP3A

原厂封装：TO-252-3，DPak

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Renesas瑞萨完整型号: RJK6006DPD-00#J2

制造厂家名称: Renesas Electronics America

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 19nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 600pF @ 25V

功率 - 最大值: 77.6W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: MP-3A

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