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STB12NM60N-1代理

STB12NM60N-1

ST | 单端场效应管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
原厂封装:I2PAK
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  • ST意法半导体公司完整型号:STB12NM60N-1
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  • 系列:MDmesh II
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):410 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):960pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:90W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
  • 供应商器件封装:I2PAK
  • 耐智电子是国内领先的STB12NM60N-1供应商
  • STB12NM60N-1供应商-耐智电子
  • ST
    STB18N60M2
  • ST
    STB10N60M2
  • 线性稳压器芯片
    LF85CPT-TRY
  • 运算放大器,缓冲放大器芯片
    TS1852AIST
  • 微控制器
    STM32L151R8H6A
  • 配电开关,负载驱动器芯片
    L9753CAXPTR
  • STB12NM60N-1是ST意法半导体公司的一款产品,ST代理商耐智电子全程提供STB12NM60N-1现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的STB12NM60N-1供应商。

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