STB24N60DM2

ST | FET - 单

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

原厂封装：TO-263-3，D2Pak

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ST意法半导体公司完整型号: STB24N60DM2

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

系列: FDmesh II Plus

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 18A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 200 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1055pF @ 100V

功率 - 最大值: 150W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: D2PAK

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