STB26NM60ND_STB26NM60ND供应商_ST代理商耐智电子

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ST意法半导体公司完整型号：STB26NM60ND

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

系列：FDmesh? II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：175 毫欧 @ 10.5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1817pF @ 100V

功率 - 最大值：190W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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STB26NM60ND供应商-耐智电子

微控制器

DC-DC开关稳压器芯片

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