STB33N60M2_STB33N60M2供应商_ST代理商耐智电子

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ST意法半导体公司完整型号：STB33N60M2

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

系列：MDmesh II Plus

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：26A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 13A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1781pF @ 100V

功率 - 最大值：190W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

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STB33N60M2供应商-耐智电子

FET - 单

单路IGBT

线性稳压器芯片

运算放大器，缓冲放大器芯片

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