STD1HN60K3

ST | FET - 单

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

原厂封装：TO-252-3，DPak

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ST意法半导体公司完整型号: STD1HN60K3

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

系列: SuperMESH3?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.2A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 8 欧姆 @ 600mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 140pF @ 50V

功率 - 最大值: 27W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: DPAK

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