STD1HNC60T4

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

原厂封装：D-Pak

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ST意法半导体公司完整型号：STD1HNC60T4

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：PowerMESH II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：228pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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