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ST意法半导体公司完整型号: STGB30M65DF2制造厂家名称: STMicroelectronics功能总体简述: IGBT 650V 30A D2PAK系列: -IGBT 类型: 沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 60A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，30A功率 - 最大值: 258W开关能量: 300μJ（开），960μJ（关）输入类型: 标准栅极电荷: 80nC25°C 时 Td（开/关）值: 31.6ns/115ns测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间（trr）: 140ns封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型: 表面贴装供应商器件封装: D2PAK耐智电子是国内领先的STGB30M65DF2供应商 
