STGP30M65DF2

ST | IGBT - 单路

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：IGBT 650V 30A TO-220AB

原厂封装：TO-220-3

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ST意法半导体公司完整型号: STGP30M65DF2

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: IGBT 650V 30A TO-220AB

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，30A

功率 - 最大值: 258W

开关能量: 300μJ（开），960μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 80nC

25°C 时 Td（开/关）值: 31.6ns/115ns

测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 140ns

封装/外壳: TO-220-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

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