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ST意法半导体公司完整型号：STGW15M120DF3制造厂家名称：STMicroelectronics描述：IGBT 1200V 30A 259W系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：60A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，15A功率 - 最大值：259WSwitching Energy：550μJ（开），850μJ（关）输入类型：标准Gate Charge：226nC25°C 时 Td（开/关）值：26ns/122nsTest Condition：600V， 15A， 22 欧姆， 15V反向恢复时间 (trr)：270ns封装/外壳：TO-247-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-247耐智电子是国内领先的STGW15M120DF3供应商 
