STL12P6F6

ST | 单端场效应管

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL12P6F6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 48V

功率 - 最大值：75W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat（5x6）

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