STL13DP10F6

ST | 场效应管阵列

制造厂商：ST（意法半导体）

功能简述：MOSFET P-CH 100V 3.3A PWRFLAT56

原厂封装：PowerFlat

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ST意法半导体公司完整型号：STL13DP10F6

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 100V 3.3A PWRFLAT56

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.7A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：864pF @ 25V

功率 - 最大值：62.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat（5x6）

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STL13DP10F6供应商-耐智电子

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